Silisyum karbür (SiC) transistörler, geleneksel silikon bazlı transistörlere kıyasla daha hızlı anahtarlama hızları, daha düşük güç kayıpları ve daha yüksek sıcaklık toleransı sunan yeni bir güç elektroniği cihazı türüdür.Bu, onları elektrikli araçlar, yenilenebilir enerji sistemleri ve endüstriyel ekipman gibi yüksek performanslı uygulamalarda kullanım için ideal hale getirir.

Son zamanlarda araştırmacılar tarafından önceki tasarımlardan daha verimli ve daha hızlı olan yeni bir SiC transistör geliştirildi."Dikey kanal" SiC transistörü olarak adlandırılan yeni transistör, cihaz içindeki elektrik alanının daha iyi kontrol edilmesini sağlayan benzersiz bir yapıya sahiptir.Bu, daha hızlı anahtarlama hızları ve daha düşük güç kayıpları ile sonuçlanır ve bu da daha verimli güç elektroniği sistemlerine yol açar.

Dikey kanal SiC transistörünün elektrikli araçlar, veri merkezleri ve yenilenebilir enerji sistemleri dahil olmak üzere geniş bir uygulama yelpazesine sahip olması bekleniyor.Mevcut teknolojilerden daha verimli, kompakt ve güvenilir yeni nesil güç elektroniği sistemlerinin geliştirilmesinde de önemli bir rol oynaması bekleniyor.